Caratteristiche elettriche Egan® FET
In questo documento vengono spiegate le caratteristiche elettriche di base dei FET di Egan rispetto ai MOSFET di silicio. Una buona comprensione delle somiglianze e delle differenze tra queste due tecnologie è una base necessaria per comprendere quanto possiamo migliorare i sistemi di conversione di potere esistenti.
Ogni semiconduttore ha un limite alle sue capacità. Questi limiti sono in genere espressi in modo prominente in una scheda tecnica del dispositivo e fungono da guida per i progettisti su come creare progetti che non hanno problemi di qualità o affidabilità nascosti.
Scarica questo white paper per saperne di più.
Per saperne di più
Inviando questo modulo accetti Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contattandoti con e-mail relative al marketing o per telefono. Si può annullare l'iscrizione in qualsiasi momento. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) siti web e le comunicazioni sono soggette alla loro Informativa sulla privacy.
Richiedendo questa risorsa accetti i nostri termini di utilizzo. Tutti i dati sono protetto dal nostro Informativa sulla Privacy.In caso di ulteriori domande, inviare un'e-mail dataprotection@techpublishhub.com
Categorie Correlate: Energia
Altre risorse da Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Egan® Fets in sistemi di trasferimento di en...
La popolarità del trasferimento di energia wireless è aumentata negli ultimi anni e in particolare per le applicazioni destinate alla ricarica po...
Egan® Fets per il monitoraggio della busta
I transistor di nitruro di gallio possono essere utilizzati per migliorare l'efficienza della conversione DC-DC.
In questo white paper esamin...
Migliora l'efficienza del convertitore in ava...
I progettisti di convertitori DC-DC possono ottenere una maggiore densità di potenza a livelli di potenza più bassi utilizzando convertitori in a...
