Caratteristiche elettriche Egan® FET
In questo documento vengono spiegate le caratteristiche elettriche di base dei FET di Egan rispetto ai MOSFET di silicio. Una buona comprensione delle somiglianze e delle differenze tra queste due tecnologie è una base necessaria per comprendere quanto possiamo migliorare i sistemi di conversione di potere esistenti.
Ogni semiconduttore ha un limite alle sue capacità. Questi limiti sono in genere espressi in modo prominente in una scheda tecnica del dispositivo e fungono da guida per i progettisti su come creare progetti che non hanno problemi di qualità o affidabilità nascosti.
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