Egan® FET Small Signal RF Performance
Anche se il FET di Egan è stato progettato e ottimizzato come dispositivo di commutazione di potenza, mostra anche buone caratteristiche RF. Il più piccolo FET da 200 V Egan, EPC2012, è stato selezionato per la valutazione RF e dovrebbe essere considerato come un punto di partenza da cui le caratteristiche RF dei futuri numeri di parte Egan FET possono essere ottimizzate per prestazioni RF ancora migliori a frequenze più elevate.
Questo documento si concentra sulla caratterizzazione di RF nella gamma di frequenza da 200 MHz a 2,5 GHz.
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Categorie Correlate: Connettori, Energia, Induttori, raffreddamento, Semiconduttori
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