Swissbit Flash Products Affidabilità e integrità dei dati Gestione della lettura Effetti Disturbi Dati Retention Endurance
I chip Flash NAND sono organizzati in pagine (2… 16kb+di riserva) e blocchi (in genere 64 pagine). Una pagina può essere programmata una volta o fino a quattro volte, ma solo un blocco completo può essere cancellato contemporaneamente.
Durante il programma e la cancellazione degli elettroni vengono premuti (tunnel) attraverso un isolante dentro o fuori dalla cella di memoria applicando una tensione relativamente grande. Ognuna di queste operazioni di programma e cancellazioni provoca un leggero danno all'isolante che riduce gradualmente la ritenzione dei dati della cella.
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